晶圆级功率模块封装技术解析及合明科技晶圆级功率模块清洗剂介绍

晶圆级系统集成（W2W）技术为实现宽禁带器件的高密度封装提供了多种创新路径，它们通过提升互连密度、改善散热能力和减小寄生参数，充分发挥了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的性能潜力。

下表详细对比了几种主流的W2W高密度封装技术路径及其核心特征：

各封装路径的技术剖析

🔬 晶圆堆叠与混合键合

• WoW堆叠 直接将完成工艺的晶圆通过微凸块或混合键合进行垂直集成，极大地缩短了芯片间互连长度，是解决"内存墙"问题的关键，尤其适合边缘AI设备等对带宽和能效有极致要求的场景。

• 混合/融合键合 是该领域的前沿，它同时键合介电质（如SiO₂）和金属（如Cu），实现了亚微米级的互连间距。IBM的研究显示，其互连密度已达到每平方毫米16万个连接以上，为Chiplet（小芯片）架构的3D集成奠定了基础。

 双面冷却与热管理

• 这种结构通常采用"三明治"方案，将SiC MOSFET等功率芯片夹在两个DBC（直接覆铜）基板之间，用银烧结等技术同时形成上下侧的电气与机械连接。

• 它能将模块的寄生电感显著降低至5nH以下，并有效将结温控制在200℃甚至更高，满足电动汽车等高功率应用对高功率密度（≥100 kW/L）和长寿命的严苛要求。

 平面互连与嵌入式封装

• 平面互连 技术摒弃了传统的引线键合，采用铜柱、扇出型再布线层（RDL） 等方式实现芯片与基板的连接，能将寄生电感降低一个数量级（例如从10+nH降至1-2nH），这对于发挥GaN器件的高速开关优势至关重要。

• 嵌入式封装 则将裸芯片嵌入PCB或特殊衬底的腔体内，再进行堆叠和构建互连。这不仅保护了脆弱的超薄芯片，还实现了更短的垂直互连和更平整的表面，有利于后续的3D集成。

增材制造的探索

• 多材料增材制造技术（如墨水jet打印）可以一次性制造出嵌入GaN功率芯片的超薄（0.5mm）封装体，直接打印出银导电线、通孔和聚酰亚胺绝缘层。

• 这种方法无需传统的光刻、镀铜、钻孔等复杂工序，特别适合小批量、高性能定制化功率模块的快速原型开发和生产，为热管理和结构设计提供了前所未有的灵活性。

 总结

这几种技术路径并非相互排斥，在实际的高端功率模块中，常常会看到它们被组合运用。例如，一个模块可能采用混合键合进行晶圆级互连，同时集成双面冷却结构；或者在嵌入式封装中运用平面互连技术，并引入3D打印的定制化散热器。

希望以上梳理能帮助你建立起对晶圆级功率模块封装技术的清晰认知。

合明科技锡膏助焊剂清洗剂介绍：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

合明科技运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

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合明科技凭借精湛的产品技术水平受邀成为国际电子工业连接协会技术组主席单位，编写全球首部中文版《清洗指导》IPC标准（标准编号：IPC-CH-65B CN）(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”)，IPC标准是全球电子行业优先选用标准，是集成电路材料产业技术创新联盟会员成员。

主营产品包括：集成电路与先进封装清洗材料、电子焊接助焊剂、电子环保清洗设备、电子辅料等。

半导体技术应用节点：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆叠集成;COB绑定前清洗；晶圆级封装；高密度SIP焊后清洗；功率电子清洗。