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Wire Bonding技术概述与核心原理
Wire Bonding(引线键合)是半导体封装中关键的芯片连接技术,通过金属引线将芯片表面电极与封装载体引脚连接,实现电信号传输。其核心原理是对金属丝和压焊点施加热、超声能量与压力,使接触面金属发生塑性变形并破坏氧化膜,通过金属原子相互扩散形成金属化合物,完成固态连接1。该技术广泛应用于集成电路、功率器件等封装场景,直接影响电子设备的性能与可靠性。
Wire Bonding过程需经过9个关键阶段,涉及精准的机械运动与能量控制:
打火准备:焊头移动至打火高度,准备形成金球(针对球焊工艺)
第一焊点定位:焊头下降至第一焊点搜索高度,识别芯片焊盘位置
接触与焊接:通过超声振动与压力实现第一焊点(芯片端)连接
线弧形成:焊头上升至线弧高度,在芯片与引线框架间形成特定弧度引线
第二焊点焊接:移动至引线框架引脚位置,完成第二焊点连接
尾丝处理:焊头上升至尾丝高度并拉断引线,准备下一次循环
焊接质量取决于四大核心参数的协同控制:
Time(时间):超声作用时长,影响金属扩散程度
Power(功率):超声能量强度,过大会导致焊盘损伤
Force(压力):焊头施加压力,不足易导致虚焊
Temperature(温度):工作台加热温度,通常为150-250℃
劈刀作为关键工具,其几何参数直接影响焊接质量:
CD径(Chamfer Diameter):过大导致焊接强度下降,推荐值0.8-1.2mil
Chamfer角:角度越大形成的金球尺寸越大,通常控制在30°-60°
OR(Outer Radius):影响引线弧度稳定性,过小易产生Hill Crack缺陷
线材类型 | 核心优势 | 主要局限 | 应用场景 |
金线 | 抗氧化性优异、高温可靠性好、应力小 | 成本高(约为铜线的8-10倍)、易产生Kirkendall空洞 | 高端IC、航空航天器件 |
铜线 | 成本低(仅为金线1/5)、电阻率低(1.7μΩ·cm) | 硬度大易损伤焊盘、需氮气保护 | 消费电子、汽车电子 |
钯铜线 | 耐腐蚀性优于纯铜、存储周期长(开封后7天)1 | 焊接需纯氮气环境 | 潮湿环境应用 |
银合金线 | 导电率高、价格介于金铜之间 | 易迁移、可靠性数据不足 | 中低端功率器件 |
传统封装场景:DIP、SOP等封装形式的内引线连接,占全球封装市场60%以上份额
功率器件封装:IGBT模块中采用粗铝线实现大电流传输
MEMS器件:传感器芯片与ASIC的低应力连接
材料替代:铜线在消费电子领域渗透率已超50%,钯铜线逐步解决可靠性问题
工艺优化:采用机器视觉技术实现焊点自动检测,良率提升至99.95%
与Flip Chip竞争:在中小引脚数场景(<200 I/O)仍保持成本优势,但面临Flip Chip高密度封装替代压力
Wirepull Test:测试引线抗拉强度,金线通常要求>5g
Ball Shear Test:评估第一焊点附着力,标准值>20gf
IMC覆盖率:金属间化合物覆盖面积需≥80%,确保连接可靠性
弹坑实验(Crater Test):检查焊盘铝层是否出现损伤
虚焊:因压力不足或氧化导致的连接强度不足
焊盘剥离:超声功率过大导致芯片铝层损伤
引线断裂:线弧弧度异常引发的机械应力集中
作为拥有60余年历史的成熟技术,Wire Bonding凭借工艺兼容性强、成本可控等优势,仍是中低引脚数封装的主流方案。尽管面临Flip Chip等新技术的挑战,但其在汽车电子、功率器件等领域的应用仍不可替代。未来通过铜线工艺优化、智能化装备升级,该技术将持续在半导体封装领域发挥重要作用。
IGBT模块芯片清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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