因为专业
所以领先
混合键合(Hybrid Bonding)作为突破传统封装物理极限的革命性技术,通过直接铜对铜连接实现芯片间高密度互连,已成为异构集成的关键支撑。其核心优势在于超精细间距(最小可至1µm以下)、低电阻低延迟及高效散热,推动半导体行业从二维向三维集成升级。该技术不仅解决了摩尔定律放缓下的性能瓶颈,还能整合不同制程、功能的芯片,在HBM内存、AI芯片、图像传感器等领域展现出不可替代的价值。
技术迭代驱动:随着HBM向16层及以上堆叠发展,传统TSV+凸块键合面临散热效率低、堆叠高度受限等问题。混合键合通过无凸点直接连接,支持20层以上堆叠,已被三大存储厂商明确纳入技术路线图——SK海力士、三星计划在HBM4/5中全面采用,台积电SoIC技术则为HBM提供晶圆级垂直整合能力。
行业动态:台积电因四大客户(含英伟达、AMD)的强劲需求,加速SoIC产能扩张,计划三年内实现产能倍增,2026年月产能或突破1.6万片,直接推动混合键合在HBM领域的规模化应用。
高密度互连优势:混合键合支持晶圆级(W2W)和裸片级(D2W)集成,可将逻辑芯片、内存芯片、AI加速器等异构组件以10nm以下间距互连,数据传输带宽较传统封装提升10倍以上。例如,台积电SoIC技术无需硅中介层,直接实现不同节点晶粒的异质整合,显著降低AI芯片的功耗与延迟。
应用案例:英特尔、AMD已将混合键合用于3D V-Cache堆叠处理器,英伟达下一代AIGPU将搭配混合键合的HBM5内存,进一步巩固AI算力领先优势。
消费电子领域:在背照式(BSI)图像传感器中,混合键合通过硅通孔(TSV)与铜直接连接,减少光路损失并缩小模组体积,已成为高端智能手机摄像头的标配技术。
汽车与通信场景:自动驾驶芯片、5G基站射频模块对高温稳定性和低延迟要求严苛,混合键合的金属直接接触结构提升了长期可靠性,同时满足车规级散热需求。
工艺复杂度:需在亚微米级精度下实现数十亿个连接点的对准与键合,对洁净室环境、材料均匀性(如SiO₂介电层)和良率控制提出极高要求。
成本压力:晶圆级键合设备投资巨大,目前仅台积电、应用材料等少数企业掌握成熟量产能力,中小厂商难以承担技术导入成本。
国际领先者:台积电SoIC、英特尔Foveros、三星HBM混合键合技术已进入量产阶段,其中台积电1µm以下间距工艺占据高端市场主导地位。
国内进展:盛合晶微等企业已启动三维多芯片集成封装项目,但在设备、材料供应链方面仍受限于美国出口管制,HBM相关技术研发面临外部压力。
混合键合技术正从高端芯片向消费电子、汽车电子渗透,预计2025-2030年市场规模年复合增长率将超30%。随着HBM5、AI芯片和自动驾驶需求爆发,以及台积电、三星等企业的产能扩张,该技术有望成为后摩尔时代半导体产业的核心增长引擎。然而,地缘政治对供应链的影响(如美国对华HBM限制)可能延缓技术扩散速度,加速区域化技术生态的形成。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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