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所以领先
人工智能、AI芯片算力、汽车电子这三个领域对封装技术的要求各有侧重,因此采用的工艺也有明显差异。下面我将分别详细阐述。
领域 | 核心需求 | 关键封装技术工艺 |
人工智能 (终端侧AI) | 尺寸微型化、功耗低、成本可控 | WLCSP, Fan-In/Out WLP, SiP |
AI芯片算力 (云端/训练) | 超高算力、极高带宽、巨大功耗管理 | 2.5D/3D IC (CoWoS, HBM), Chiplets, TCB |
汽车电子 | 超高可靠性、耐高温/振动、长寿命 | QFN, AEC-Q100认证的WLCSP/FOWLP, SiP, 功率模块封装 |
这个领域主要指部署在手机、智能音箱、摄像头、AR/VR设备等终端设备上的AI加速芯片。它们通常用于执行轻量级的推理任务。
核心挑战:
尺寸限制:设备内部空间极其有限。
功耗限制:需要长续航,发热必须可控。
成本压力:面向消费电子市场,成本敏感。
主要封装技术:
描述:将处理器、存储器、无源元件(电阻、电容)等多个不同类型的芯片和组件,通过高密度基板或嵌入式方式集成在一个封装体内,形成一个功能完整的系统。
优势:极大缩短互连长度,提升系统性能,减小整体模块体积。
应用:可穿戴设备、物联网模块中的AI功能集成。
扇入型 (Fan-In):是WLCSP的基础,引脚都在芯片面积内。当芯片I/O数量不多时使用。
扇出型 (Fan-Out WLP):当芯片I/O数量增加,芯片面积内无法容纳所有引脚时,将芯片嵌入到环氧模塑料中,然后在“重构的晶圆”上重新分布线路,将引脚“扇出”到芯片实体面积之外。
优势:在保持小尺寸的同时,实现了更高的I/O密度和更好的散热。Fan-Out 技术非常关键,因为它允许集成多个芯片。
应用:苹果A系列处理器、高通骁龙芯片等广泛采用。
描述:直接在晶圆上进行封装和植球,完成后切割下来的芯片尺寸几乎与裸芯片相同。这是目前最主流的微型化封装技术之一。
优势:尺寸极小、电性能好(引线短)、成本低。
应用:手机中的NPU、图像信号处理器等。
晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
扇入型/扇出型晶圆级封装 (Fan-In/Fan-Out WLP)
系统级封装 (SiP)
这个领域指用于数据中心、超算等进行AI模型训练和大规模推理的芯片,如NVIDIA的GPU、Google的TPU等。
核心挑战:
性能瓶颈:需要突破“内存墙”(内存速度跟不上计算速度)。
互连带宽:需要极高的芯片间通信带宽。
热管理:功耗动辄数百瓦,散热是巨大挑战。
主要封装技术:
描述:一种用于3D堆叠的精密键合技术,能实现更小的凸点间距和更高的连接可靠性,对散热也至关重要。
应用:高端3D堆叠封装的关键工艺。
描述:将一颗大芯片分解成多个更小、功能更单一的“小芯片”,然后通过2.5D或3D技术集成在一起。芯片间采用超高密度互连标准,如UCIe。
优势:提升大芯片良率、降低成本、实现“异构集成”(不同工艺节点的芯片可以组合)。
应用:AMD的EPYC处理器是成功案例,AI芯片也广泛采用此理念。
描述:HBM本身就是3D封装的典范,它将多个DRAM芯片堆叠在一起,并通过TSV与底层的逻辑芯片(GPU)连接。HBM与计算芯片的集成必须依赖2.5D中介层技术。
优势:提供远超GDDR的带宽。
描述:这是该领域的核心技术。
优势:彻底解决了高带宽内存接入问题,极大提升了系统性能和能效。
应用:所有高端AI训练芯片(NVIDIA H100/GH200, AMD MI300等)都采用2.5D集成HBM。
2.5D:将多个芯片(如GPU核心和HBM)并排放在一个硅中介层 上。中介层内部有高密度的硅通孔,提供芯片间超高速互连,再通过中介层下方的焊球连接到PCB上。NVIDIA的CoWoS 是其中最著名的技术。
3D:将芯片像盖楼一样垂直堆叠,通过硅通孔 直接连接。这提供了最高的互连密度和带宽。
2.5D/3D 集成封装
高带宽内存 (HBM) 的集成
Chiplets (小芯片) 与先进互连
热压键合 (TCB)
汽车电子涵盖范围很广,从信息娱乐系统到最关键的动力总成、ADAS(高级驾驶辅助系统)。这里主要讨论涉及计算和功率控制的电子部分。
核心挑战:
极端可靠性:必须保证在-40°C到125°C甚至更高的温度范围、高振动、高湿度环境下工作15年以上。
零缺陷要求:尤其是安全相关部件,故障率要求极低。
大功率处理:电动汽车需要处理高电压、大电流。
主要封装技术:
描述:专门用于处理高功率的封装技术,如电动汽车的逆变器中的IGBT和SiC(碳化硅)模块。
技术:采用直接覆铜基板、银烧结 等工艺,确保在高电压、大电流和高温下的稳定运行。
趋势:从焊接转向烧结,从硅基转向碳化硅/氮化镓,封装技术是关键使能因素。
描述:与消费电子类似,但可靠性要求是天壤之别。用于将ADAS域控制器中的多种芯片(如处理器、存储器、电源管理芯片)集成在一个高可靠性的封装内。
优势:减少PCB上的元件数量,提升系统可靠性和抗振动能力。
描述:许多封装形式本身与消费电子相同,但必须通过AEC-Q100等车规级可靠性认证。这意味着材料、工艺控制和测试标准都严格得多。
类型:QFN、LQFP 等因其良好的散热和可靠性,在MCU、传感器中广泛应用。车规级的 WLCSP 和 FOWLP 也用于ADAS摄像头中的图像处理器等。
符合车规认证的标准封装
系统级封装 (SiP)
功率模块封装
人工智能(终端) 追求 “小而省”,技术核心是 WLP 和 SiP,在有限空间内实现足够算力。
AI芯片算力(云端) 追求 “大而快”,技术核心是 2.5D/3D 和 Chiplets,不惜成本突破性能和带宽极限。
汽车电子 追求 “稳而强”,技术核心是 车规级认证 和 高可靠性设计,在保证万无一失的前提下,逐步引入先进集成和功率封装技术。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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半导体技术应用节点:FlipChip ;2D/2.5D/3D堆叠集成;COB绑定前清洗;晶圆级封装;高密度SIP焊后清洗;功率电子清洗。
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