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微电子封装芯片互连技术是实现芯片与基板、芯片与芯片之间电气连接的核心工艺。根据搜索结果,当前主流技术包括引线键合(WB)、倒装芯片(FCB)、载带自动焊(TAB)、硅通孔(TSV)及混合键合等,以下从技术原理、工艺流程及优缺点等方面展开详细解析:
技术原理:通过金属细丝(金、铝或铜线)将芯片焊区与基板焊盘连接,利用热、压力和超声波能量实现冶金结合。
工艺分类:
热压键合:加热加压使金属丝与焊区接触面原子扩散形成键合,适用于金丝键合(球形键合)。
超声键合:通过超声振动破坏氧化层并促进金属塑性变形,适用于铝丝键合(楔形键合)。
金丝球键合:结合热超声波能量,先熔化金属丝形成球形端,再与焊区键合,广泛用于高可靠性场景。
优缺点:
优点:成本低、工艺成熟,适用于低密度封装(如QFP、CSP)。
缺点:引线长度限制高频性能,易受电磁干扰,不适用于高密度互连。
应用领域:移动设备中的DRAM、NAND芯片封装。
技术原理:将芯片倒置,通过焊球(如锡铅、无铅焊料)直接连接芯片与基板,缩短电气路径。
工艺流程:
芯片凸点制作(电镀、置球法等)。
芯片与基板对准并回流焊,形成可靠电气连接。
优缺点:
优点:高I/O密度、高频性能优异,散热效果优于引线键合。
缺点:凸块间距受焊料限制(传统工艺难以低于10μm),需底部填充材料缓解热应力。
应用领域:CPU、GPU、高速DRAM封装。
技术原理:利用预置金属引线图形的柔性载带(如聚酰亚胺基材),通过热压或超声波实现芯片与载带的互连。
工艺流程:
芯片凸点制作(UBM层+焊料凸点)。
载带与芯片对准并内引线键合(ILB),再外引线键合(OLB)至基板。
优缺点:
优点:引线间距更小(可达50μm),电感低,适合高密度封装。
缺点:载带成本高,工艺复杂度高于引线键合。
应用领域:高密度存储器、逻辑芯片封装。
技术原理:在硅芯片上刻蚀通孔并填充导电材料(如铜),实现芯片垂直堆叠互连。
工艺流程:
深反应离子刻蚀(DRIE)形成通孔。
绝缘层沉积与铜填充(电镀)。
微凸块制作与堆叠封装(如HBM内存)。
优缺点:
优点:突破平面互连限制,支持多层堆叠(如SK海力士12层HBM3)。
缺点:制造复杂度高,需解决热应力与信号完整性问题。
应用领域:高带宽存储器(HBM)、3D封装。
技术原理:同时实现氧化物界面键合与铜-铜直接键合,无需传统焊料凸块。
工艺特点:
无焊料键合:减少键合层厚度,降低电阻。
铜间距突破:凸块间距可缩小至1μm以下,支持更高密度互连。
优缺点:
优点:优异的电学性能与散热能力,适用于Chiplet异构集成。
缺点:对表面平整度与对准精度要求极高,工艺成本高。
应用领域:高性能计算(HPC)、AI芯片封装。
技术类型 | 互连密度 | 工艺复杂度 | 成本 | 典型应用场景 |
引线键合 | 低 | 低 | 低 | 移动设备、低速存储器 |
倒装芯片 | 中 | 中 | 中 | CPU、GPU |
载带自动焊 | 中高 | 中高 | 高 | 高密度存储器 |
硅通孔(TSV) | 高 | 高 | 高 | 3D封装、HBM |
混合键合 | 极高 | 极高 | 极高 | Chiplet、异构集成 |
未来趋势:
Chiplet技术驱动:混合键合与TSV技术将进一步融合,推动低成本异构集成。
材料创新:功率超声辅助的纳米烧结技术可实现低温连接与高温服役,解决第三代半导体(如SiC)封装难题。
工艺优化:SK海力士的MR-MUF工艺通过大规模回流模塑底部填充,提升堆叠效率与可靠性。
以上技术均基于搜索结果中的具体工艺参数与案例,涵盖了当前微电子封装领域的核心互连技术及其发展方向。
微电子封装芯片封装清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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